關(guān)鍵詞 |
硅晶碇切片膠半導體,重慶硅晶碇切片膠,芯片鍵合封裝,硅晶碇切片膠半導體 |
面向地區(qū) |
國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
2011年，瑞?的微納系統(tǒng)研究部提出了如下圖所示的基于TSV技術(shù)圓片級 真空
封裝?案。該?案由TSV封帽與器件層兩部分構(gòu)成，TSV封帽垂直導 通柱是填
充在硅通孔中的銅柱。器件層上制作有?錫電極與銅柱相連，從 ?把電信號從
空腔內(nèi)部的引到空腔外部，后通過硅-硅直接鍵合實現(xiàn)密 封。該?案?密性
很好，但是TSV封帽制作?藝復雜，熱應??(銅柱與 硅熱失配?)，且硅硅鍵
合對鍵合表面要求質(zhì)量很?，?般加?過的硅片 很難達到此要求。
嵌?式玻璃扇出與集成天線封裝
玻璃通孔還可以在玻璃上制作空腔，進?為芯片的封裝提供?種嵌? 式玻璃扇
出(eGFO)的新?案。2017年喬治亞理?率先實現(xiàn)了用于?I/O 密度和?頻多芯
片集成的玻璃面板扇出封裝。該技術(shù)在70um厚、?小為 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26個芯片的扇出封裝，并有效的控 制芯片的偏移和翹曲。2020年
云天半導體采用嵌?式玻璃扇出技術(shù)開了 77GHz汽?雷達芯片的封裝，并在此
基礎(chǔ)上提出了?種?性能的天線封裝 (AiP)?案。
基于玻璃通孔的MEMS封裝
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級封裝， 采用電
鍍?案實現(xiàn)通孔的完全填充，通過該?案制作的射頻MEMS器件在 20GHz時具
有0.197dB的低插?損耗和20.032dB的?返回損耗。2018年， LAAKSO等創(chuàng)造性
地使用磁輔助組裝的?式來填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封裝中。
